Diodes ZXTP2013Z Instrukcja Użytkownika

Przeglądaj online lub pobierz Instrukcja Użytkownika dla Sprzęt komputerowy Diodes ZXTP2013Z. Diodes ZXTP2013Z User Manual [en] Instrukcja obsługi

  • Pobierz
  • Dodaj do moich podręczników
  • Drukuj
  • Strona
    / 6
  • Spis treści
  • BOOKMARKI
  • Oceniono. / 5. Na podstawie oceny klientów
Przeglądanie stron 0
SUMMARY
BV
CEO
= -100V : R
SAT
= 57m ; I
C
= -3.5A
DESCRIPTION
Packaged in the SOT89 outline this new low saturation 100V PNP transistor
offers low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits, line
switching and various driving and power management functions.
FEATURES
3.5 amps continuous current
Up to 10 amps peak current
Very low saturation voltages
APPLICATIONS
Motor driving
Line switching
High side switches
Subscriber line interface cards (SLIC)
DEVICE MARKING
953
ZXTP2013Z
ISSUE 1 - JUNE 2005
100V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89
1
S
O
T
8
9
PINOUT
VIEW
DEVICE REEL
SIZE
TAPE WIDTH
QUANTITY PER
REEL
ZXTP2013ZTA
7" 12mm
embossed
1,000 units
ORDERING INFORMATION
Przeglądanie stron 0
1 2 3 4 5 6

Podsumowanie treści

Strona 1 - ZXTP2013Z

SUMMARYBVCEO= -100V : RSAT= 57m ; IC= -3.5ADESCRIPTIONPackaged in the SOT89 outline this new low saturation 100V PNP transistoroffers low on state los

Strona 2

ZXTP2013ZISSUE 1 - JUNE 20052PARAMETER SYMBOL LIMIT UNITCollector-base voltage BVCBO-140 VCollector-emitter voltage BVCEO-100 VEmitter-base voltage BV

Strona 3

ZXTP2013ZISSUE 1 - JUNE 20053CHARACTERISTICS

Strona 4

ZXTP2013ZISSUE 1 - JUNE 20054PARAMETER SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONSCollector-base breakdown voltage BVCBO-140 -160 V IC= -100␮ACollector-emit

Strona 5

ZXTP2013ZISSUE 1 - JUNE 20055TYPICAL CHARACTERISTICS

Strona 6

ZXTP2013Z6ISSUE 1 - JUNE 2005EuropeZetex GmbHStreitfeldstraße 19D-81673 MünchenGermanyTelefon: (49) 89 45 49 49 0Fax: (49) 89 45 49 49 49europe.sales@

Komentarze do niniejszej Instrukcji

Brak uwag